銻化鎵晶圓
GaSb Gallium Antimonide Wafer
製造中波紅外 II 型超晶格雷射器與探測器的重要 III-V 族半導體。
基於 GaSb 的紅外雷射與探測器已廣泛應用於夜視、通訊、氣象、大氣監測、工業探傷及地球資源勘探。
參數
Specification
Unit
Diameter
50.8/ 76.2/ 100
mm
Conductive Type/ Dopant
N / Te
P / Zn
P / Undoped
Surface Orientation
(100) / (111)
degree
Mobility
N / Te: 2000~ 3500
P / Zn: 200~ 500
P / Undoped: 600~ 700
cm2/V.S
Etch Pit Density
<3000
cm-2
Carrier Concentration
N / Te: (1~20)* 1E17
P / Zn: (5~100)* 1E17
P / Undoped: (1~2)* 1E17
cm-3
Thickness
500~800
μm
Surface
SSP or DSP
