產品細節表
拖住橫移
參數
Specification
Unit
Diameter
100/ 150/ 200
mm
Conductivity Type
N-type: Nitrogen
P-type: Aluminum
Epitaxy Thickness
0.5~200
µm
Doping Concentration
N-type: 1E15~1E18
P-type: 1E16~1E18
cm-3
Usable Area
>95
%
-
-
* Multi Layers customization are possible.
-
-
其他產品
Power AlGaN HEMT: D-Mode & E-Mode
功率型鋁氮化鎵高電子遷移率電晶體 (Power AlGaN HEMT)。
規格可客製化，常見於手機快充頭，以及電動樁，優異的Switching loss 為特性。
GaN Green Blue LED Wafer
綠光與藍光 LED 晶圓 (Green Blue LED Wafer)。
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Gallium Nitride Template Wafer
More common on LED or Power use, which is Sapphire based wafer.
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